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SI4480DY-T1中文资料

SI4480DY-T1图片

SI4480DY-T1外观图

  • 大小：58.9KB
  • 厂家：Vishay
  • 描述： 4480DY-T1
  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：80 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：6 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：35 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow
  • 封装：Reel
  • 下降时间：22 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：2.5 W
  • 上升时间：12.5 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 典型关闭延迟时间：52 ns

SI4480DY-T1供应商

更新时间:2022-12-31 02:18:44
批量询价 所在地：全国北京上海深圳浙江江苏广东山东广州汕头陕西
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